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■「半導体の製造工程」テキスト 第4刷 版

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 ・組立工程の映像教材
 ・CMOS製造プロセス教材
★ 大好評につき、第4刷版を2009年11月発売
著者 : 山口宗弘
83頁 B5 カラー
※ CMP工程 を10頁追加しました。 CMP見本.pdf

半導体製造工程の内容と基本技術をカラーイラストで解説!
前工程にたずさわって、1〜2年くらいの経験者向けです。
半導体製品製造の国家試験のテキストに最適です。
 

■■ 目 次 ■■

 
1. 半導体 2. 拡散工程
・シリコンの原子
・ダイヤモンド構造
・外因性半導体(N形)
・外因性半導体(P形)
・半導体に使用される物質
・ウエハ工程の概略
・MOSトランジスタの製造概略
・バイポーラトランジスタの製造概略
・熱窒化膜
・酸化膜の用途
・熱酸化
・拡散炉の構造
・プレデポジション
・熱処理
・シンター(アロイ)
・アニール
・ドライブイン
 
3. CVD工程 4. スパッタ工程
・常圧CVD(AP−CVD)
・減圧CVD(LP−CVD)
・減圧でのCVD
・プラズマCVD(PL−CVD)
・バイアス高密度プラズマCVD
(HDP−CVD)
・屈折率
・TEOS
・多結晶とアモルファス
・エピタキシャル成長
・スパッタの用途
・金属配線の不良と対策
・逆スパッタ
・スパッタ装置
・クロスコンタミネーション
・ステップカバレッジ
・オーミックコンタクト
・段差測定器
・四探針測定器
 
5. フォトリソグラフィ工程 6. ドライエッチング工程
・レジストパターンの用途
・フォトリソグラフィ工程の概略
・前処理
・レジスト塗布
・プリベーク
・露光
・ステッパー
・PEB
・現像(デベロッパー)
・ポストベーク
・異方性エッチング
・ドライエッチング装置の種類
・イオンシース
・各種膜のエッチング
・選択比
・アスペクト比
・マイクロローディング効果
・ドライエッチングの不良
・エッチバック(平坦化)
 
7. イオン注入工程 8. CMP工程
・イオン注入の特徴
・N形・P形半導体
・MOS Trでのイオン注入箇所
・イオン注入されたウエハ
・イオン種の注入の深さ
・チャネリング効果
・シャドー効果
・SIMOX(サイモックス)
・中電流イオン装置の構造
・大電流イオン注入装置
・イオン源
・質量分析部(マグネットアナライザー)
・レンズ部
・スキャン
・ファラデーカップ
・CMP装置
・機械的研磨と化学的研磨
・ドレッシング(コンディショニング)
・パッド溝とポリッシャーの揺動
・研磨砥粒と薬液
・スラリー残渣とスクラッチ
・ディッシングとエロージョン
・キーホール
・洗浄
・段差部での配線不良
・STI形成(トレンチ素子分離)
・プラグ形成とダマシン配線
 
◆お問い合わせ
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