| 1. |
半導体 |
2. |
拡散工程 |
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・シリコンの原子
・ダイヤモンド構造
・外因性半導体(N形)
・外因性半導体(P形)
・半導体に使用される物質
・ウエハ工程の概略
・MOSトランジスタの製造概略
・バイポーラトランジスタの製造概略 |
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・熱窒化膜
・酸化膜の用途
・熱酸化
・拡散炉の構造
・プレデポジション
・熱処理
・シンター(アロイ)
・アニール
・ドライブイン |
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| 3. |
CVD工程 |
4. |
スパッタ工程 |
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・常圧CVD(AP−CVD)
・減圧CVD(LP−CVD)
・減圧でのCVD
・プラズマCVD(PL−CVD)
・バイアス高密度プラズマCVD
(HDP−CVD)
・屈折率
・TEOS
・多結晶とアモルファス
・エピタキシャル成長 |
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・スパッタの用途
・金属配線の不良と対策
・逆スパッタ
・スパッタ装置
・クロスコンタミネーション
・ステップカバレッジ
・オーミックコンタクト
・段差測定器
・四探針測定器 |
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| 5. |
フォトリソグラフィ工程 |
6. |
ドライエッチング工程 |
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・レジストパターンの用途
・フォトリソグラフィ工程の概略
・前処理
・レジスト塗布
・プリベーク
・露光
・ステッパー
・PEB
・現像(デベロッパー)
・ポストベーク |
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・異方性エッチング
・ドライエッチング装置の種類
・イオンシース
・各種膜のエッチング
・選択比
・アスペクト比
・マイクロローディング効果
・ドライエッチングの不良
・エッチバック(平坦化) |
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| 7. |
イオン注入工程 |
8. |
CMP工程 |
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・イオン注入の特徴
・N形・P形半導体
・MOS Trでのイオン注入箇所
・イオン注入されたウエハ
・イオン種の注入の深さ
・チャネリング効果
・シャドー効果
・SIMOX(サイモックス)
・中電流イオン装置の構造
・大電流イオン注入装置
・イオン源
・質量分析部(マグネットアナライザー)
・レンズ部
・スキャン
・ファラデーカップ |
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・CMP装置
・機械的研磨と化学的研磨
・ドレッシング(コンディショニング)
・パッド溝とポリッシャーの揺動
・研磨砥粒と薬液
・スラリー残渣とスクラッチ
・ディッシングとエロージョン
・キーホール
・洗浄
・段差部での配線不良
・STI形成(トレンチ素子分離)
・プラグ形成とダマシン配線 |
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