|
|
| ■「回路シミュレーション」 |
| ＳｏＣ技術は、超微細化、多層配線化が進む一方、高速化、低消費電力化が追究されています。この中で、デバイスおよび回路を形成するパターンの動作解析、 Signal Integrityが重要な課題となっております。 |
| |
|
<<講師>> |
|
| |
■ 秋濃 俊郎
教授 （近畿大学） |
|
「回路シミュレーション」（１） |
第１章 はじめに
第２章 MOSFETの製造
・製造工程の流れ
・レイアウト・デザインルール |
|
「回路シミュレーション」（２） |
TOPICS：半導体の初歩
第３章 MOSトランジスタ
・外部バイアス下でのMOSデバイス
・MOSトランジスタの構造と動作 |
|
「回路シミュレーション」（３） |
第３章 ＭＯＳトランジスタ
・ＭＯＳＦＥＴ電流・電圧特性
TOPICS：閾値電圧について
・ＭＯＳＦＥＴのスケーリング
・ＭＯＳＦＥＴの容量 |
|
「回路シミュレーション」（４） |
第４章 ＳＰＩＣＥのＭＯＳトランジスタ・モデル
第５章 ＭＯＳインバータの静的特性
・インバータ特性の基本項目
・ＣＭＯＳインバータ |
|
「回路シミュレーション」（５） |
第６章 ＭＯＳインバータのスイッチング特性と配線効果
・遅滞時間の計算
・配線ＲＣの見積もり
・配線遅延の計算 |
|
「回路シミュレーション」（６） |
第１１章 低電圧ＣＭＯＳ論理回路
・ＢＳＩＭ３v３モデル
・T−ＳＰＩＣＥでの回路シミュレーション |
|
|
|
|
■ 教科書について
|
この講座は教科書を使用します。同時にご購入ください。
「CMOS Digital Integrated Circuits - Analysisand Design」Second Edition
Sung-Mo Kang and Yusuf Leblebici 著 McGraw-Hill International Edition
※海外書籍なのでその時のレートにより金額に差がでます。（約
\10,000）（税込み）
|
|
このページのトップに戻る
|
|
