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| ■「集積回路デバイス」 |
| 超微細化が加速的に進展しナノ時代に突入し、ＳｏＣ技術がますます高度化するとともに、アナログ、ＲＦデバイスへの広がりを見せています。 デバイス動作に関する本質的な理解が重要な課題になっています。この分野の第一人者、大阪大学教授 谷口 研二先生の講義を ＣＤ−ＲＯＭに編集しました。 |
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<<講師>> |
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谷口 研二 教授 （大阪大学大学院） |
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「集積回路デバイス」（１） |
第１章 シリコン結晶中の電子物性
第２章 半導体ｐｎ接合の基礎
第３章 MOS素子の動作を理解する |
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「集積回路デバイス」（２） |
第４章 MOS素子の電気的特性
第５章 高電解中でのMOS素子の特性
第６章 微小MOSFETの基本特性MOS素子の動作を理解する |
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「集積回路デバイス」（３） |
第７章 MOS素子の信頼性
第８章 フラッシュメモリ
第９章 SOI−MOSFET |
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「集積回路デバイス」（４） |
第１０章 バイポーラ素子
第１１章 バイポーラ・トランジスタ
第１２章 BiＣＭＯＳ回路 |
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「集積回路デバイス」（５） |
第１３章 電荷転送素子 ＣＣＤ
第１４章 発光素子ＬＥＤ・レーザーダイオード
第１５章 ヘテロ構造素子 |
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