１枚目

（約４時間４８分）

１．速度飽和を取り入れたMOSFETモデル
(1)MOS Capacitor
(2)MOSFET Drain Current ／ Channel Length ／ Modulation ／ Sub-threshold Current ／ Scaling
(3)Verocity Saturation Effect／速度飽和効果のまとめ

２．速度飽和を取り入れた遅延解析モデル
(1)遅延の定義と微分方程式／何故、遅延解析モデル式か？
(2)速度飽和を考えないモデル式／考えたモデル式／実測値との比較／一般化スケーリング

３．MOSFETの電流駆動力飽和に対する解決策−１
(1)CMOS技術の課題／BiCMOS技術
(2)Lateral BJT-MOS(LBMOS)の基本特性／Lateral BJT-CMOSインバータ／回路シミュレーション結果

２枚目

（約２時間２８分） 

４．MOSFETの電流駆動力飽和に対する解決策−２
(1)CMOSとBiCMOSの課題／Lateral BJT-CMOS(LBCMOS)インバータの特徴
(2)LBCMOSの電流源の自動制御／回路シミュレーション結果

５．回路シミュレーションにおける電流モデルと数値解析−１
(1)MOSFETの簡単なSPICEモデル（１）
(2)MOSFETの簡単なSPICEモデル（２）
(3)MOSFETの簡単なSPICEモデル（３）／BSIM3v3／結論

６．回路シミュレーションにおける電流モデルと数値解析ー２
　ニュートン・ラフソン法／回路素子のモデル式／過渡解析の積分近似