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VLSI設計の基本 (1) |
第1章 はじめに
VLSI発展の歴史/技術の変遷/価格の変遷
必要技術/産業規模の変遷/VLSIのできるまで
第2章 VLSIの構成要素(基本素子1)
MOSトランジスタ 基本動作
MOSトランジスタ 2次効果/Spiceモデル |
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VLSI設計の基本 (2) |
第2章 VLSIの構成要素(基本素子2)
ダイオード/バイポーラトランジスタ/抵抗/容量
/インダクタンス
第2章 VLSIの構成要素(基本回路)
MOSトランジスタ・スイッチ/CMOSインバータ
/各種インバータ
基本ゲート/複合ゲート/ラッチ
/レジスタCMOSインバータの性能
/多入力ゲート/トランジスタのサイジング
/マージン設計 |
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VLSI設計の基本 (3) |
第3章 VLSIの製造技術
ウェハプロセス技術(1)
単結晶製造方法/個別プロセス技術
ウェハプロセス技術(2)
CMOSプロセスアセンブリ技術
第4章 VLSIの価値と価格
VLSIの価値
機能/使いやすさ/性能/品質/納期
VLSIの価格
需要と供給/開発費用/製造費用/歩留まり
Case Study
競争力の構築/SoCに必要な技術/アナログ集積の課題 |
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VLSI設計の基本 (4) |
第5章 VLSIの設計方式と各工程
・LSIの設計フロー
システムLSIの検証/高位設計/機能・論理設計
テスト設計/論理合成/論理検証/レイアウト設計
DRC・ERC・LVS/タイミング検証/設計戦略
・LSIの高性能化に向けた設計技術
高速・高余裕動作/CMOS論理ゲート設計/クロック戦略
/配線、ゲートサイズ、保護回路
低消費電力動作/RTLでの対策
/アーキテクチャでの対策
・電圧・周波数制御技術
リーク電流の問題/MTCMOS/VTCMOS/Dual-Vt
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VLSI設計の基本 (5) |
第2章 VLSIの構成要素 補足:メモリ
第6章 VLSI設計の実例
第7章 半導体産業におけるVLSI設計
第8章 まとめ |