セミコンブレーン－eコンテンツ半導体「教育・訓練」

　ネットワーク社会の核心部であるＩＴ機器、その高性能化を支える半導体デバイスにおいて、アナログ技術、高周波デバイスの重要性がますます高まっております。
　本講座では、アナログデバイスを、バイポーラ・ＭＯＳから化合物まで幅広くカバーし、デバイス構造・動作原理・動作特性について解説します。さらに設計技術者にとっても必要な、プロセス技術、製造工程をわかり易く解説し、最先端デバイスの動向、今後の展開について述べます。

<<講師>>

■ 清水　啓一郎氏 (教授)
　　大分工業高等専門学校

１．高周波半導体デバイスと応用分野	モバイル通信の将来各システムの利用周波数帯と対応半導体デバイスＧａＡｓデバイスの世界市場規模ＧａＡｓＭＭＩＣの世界市場規模推移デジタルＧａＡｓＩＣの世界市場規模推
２．高周波半導体デバイスの基本構造と特性	１）各種半導体デバイスの構造・特性・特徴　　トランジスタの種類　半導体材料の電子物性の比較　　高周波デバイスのFigures of Merit ２）バイポーラデバイス　　バイポーラトランジスタの構造変化・基本動作　　ヘテロ・バイポーラトランジスタ技術３）ＭＯＳデバイス　　ＭＯＳトランジスタの構造変化・基本動作・電流電圧特性・　　高周波モデル・周波数特性　　応力とキャリア移動度　　歪みデバイス技術４）抵抗・容量・インダクタ・表皮効果・ノイズ　　半導体デバイス中のノイズ
３．高周波半導体プロセス技術の基礎	１）半導体プロセス技術・製造装置　　半導体製造工程の種類　　位相シフト法　　リソグラフィ工程　　イオン注入装置　　ＣＭＰ装置２）バイポーラトランジスタの製造工程３）ＣＭＯＳトランジスタの製造工程
４．高周波半導体デバイスの将来展望	シリコン・ウェハの大口径化トレンドＭＯＳトランジスタのスケーリングリソグラフィ技術の動向ＭＯＳトランジスタの微細化高周波デバイスの技術分野各種デバイスのパワー素子としての性能比較最大出力電力の周波数依存性ＬＳＩ微細化の限界　まとめ

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